用途紹介|高周波加熱、誘導加熱、高周波誘導加熱、高周波焼入、高周波ロー付で未来を拓く株式会社高周波ネッスル。


用途紹介

高周波誘導加熱の用途

ろう付

金属製品の銀ろう、銅ろう他全ての硬ろう付の自動化に最適

半田付

電子部品、家電部品、計測器部品、自動車部品等の半田付作業に最適

焼入

自動車部品、精密機械部品等の焼入処理に、小物から大物まで適用

焼鈍

電線、ステンレスパイプ等の焼鈍やプレス加工品の絞り・曲げ加工の前処理

ビレットヒータ

鍛造・押出成形加工の合理化や品質向上

溶接・鍛接

電縫管・フィンチューブの連続溶接、フープ材・コアー材の溶接

溶解

鉄鋼溶解、貴金属溶解・遠心鋳造新素材の真空溶解

焼嵌

コンプレッサ等のロータやシャフト・ベアリング等の焼嵌加熱

溶着

製缶接着、食品キャップシール、ラミネートチューブシール、スピーカー接着・乾燥押出モール接着

ボンバータ

電子管、ネオン管、表示管、水銀灯、蛍光灯などのガス排気や、ゲッターフラッシュ

半導体製造

シリコン単結晶の引上げ、エピタキシャル成長

プラズマ加熱

プラズマトーチ、エッチング

ハクリ・脱パン

レンズ研磨皿のピッチハクリや金属製冷凍容器(パン)との冷凍品の分離

樹脂コーティング

小型モーター等の絶縁樹脂コーティングやパイプの酸化防止膜コーティング

プラスチック

かしめ、ボルトインサート、溶着

金型加工

押出ノズルと成形ダイスや成形金型等の加熱

熱サイクル試験他

金属材料の熱サイクル試験

教材としての加熱装置

当社デモ用加熱装置を使用して、加熱テストができます。
ワークサンプルを送って頂けましたら、当社技術員がテストを行ない結果を報告、又データー等を送付致します。
※特別に大きく費用のかかる物は、相談により別途費用が発生する場合があります。

加熱装置のシリーズ

当社は仕様等により、下記の物をシリーズ化しています。

主スイッチング素子 大きさ 水量 周波数域 特徴
トランジスター
IGBT
やや小型 やや少ない 1KHz~
100KHz
一般的で使用しやすい。
トランジスター
MOSFET
やや小型 やや少ない 100KHz~400KHz 比較的高い周波数で価格も若干割り高。
トランジスター
スーパーMOSFET
非常に小型 非常に少ない 2MHz 小さい部品のロー付、焼入、溶解等に使用される。

KNTの仕様

出力 周波数 電源部 整合部 一次電源
1kW~10kW 10KHz~400KHz W400×D540×H460 W320×D400×H530 3φ200V
15kW~30kW 10KHz~400KHz W500×D600×H610 W320×D400×H530 3φ200V
40kW~100kW 10KHz~100KHz W750×D670×H1750 W570×D700×H620 3φ380V、400V、440V
3kW~5kW 2MHz W400×D250×H430 W220×D480×H350 3φ200V

(例) 出力10kWで周波数が100KHzの場合

KNT(型式) - 10(出力) 100(周波数)

高周波の出力推定

ワークを昇温、させる為の正味電力量(Kw/sec)
Pa=4.186×M×C×ΔT(Kw/sec)
M:ワーク加熱部の質量(Kg)
C:ワークの比熱、(Cal/g.deg)
ΔT:目標とする温度差(deg)
高周波の必要出力(kw)
HFPa=Pa/(ηc×ηL)×K(Kw)

例○φ20-300LのSS丸棒を常温~500℃に10Secで昇温する場合の高周波出力は

ηc:結合度(0.4~0.9)
ηL:伝熱効率(0.5~0.9)
K:余祐度(1.1~1.5)
①ワーク重量約0.75kg
②昇温温度(ΔT)480℃(500℃-20℃)
③比熱 0.12

1.正味電力量

Pa=4.186×0.75×0.12×480=180kw/Sec
10Secで昇温する場合の高周波出力は、180kw÷10Sec=18kw
∴18kwの正味電力量が必要となります。

2.高周波出力

HFPa=Pa/(ηc×ηL)×K(Kw)
ηc=0.7
ηL=0.8
K=1.2
HFPa=18/0.7×0.8×1.2=38Kw
∴38Kwの高周波出力が必要となります。

高周波装置の周波数

周波数の選定

周波数によりワークへの高周波電流浸透深さが異なる為に加熱部の形状寸法、材質、目的に応じて、最適周波数を選定しなければなりません。周波数選定は以下の点がポイントになります。

◎低周波(100Hz~5KHz位)

ワーク物が大きい又は容量がある。加熱時間が長い。ワーク全体を均熱加熱したい。

◎中周波(5KHz~50KHz程度)

ワーク物が中位、又は中容量。比較時加熱時間が長い。ワーク全体を均熱加熱したい。ワーク均熱精度を上げたい。
(例えば500℃±10℃以下など)、比較的薄いワーク、比較的細いワーク、 比較的小さいワーク

◎高周波(50KHz~400KHz程度)

細いワーク(φ1~φ5位)、小さいワーク、薄いワーク(0.5t~2t位)、局所部分を加熱したい。非磁性体。
(AL、Bs、SUS)箇所部分を加熱したい。短時間加熱(1Sec~10Sec位)

◎Hi高周波(400KHz~2MHz程度)

細いワーク(φ0.5~φ2位)、小さいワーク、薄いワーク(0.1t~1t位)、局所部分を加熱したい。非磁性体
(AL、Bs、SUS等)、短時間加熱(0.5Sec~2Sec)

◎特殊高周波(2MHz以上)

非常に細いワーク(φ0.1~φ1.0位)、瞬間加熱(100mSec~1Sec位)、非磁性体(AL、Bs、SUS等)、局所部分を加熱したい。

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